IC 64 X 4 OTHER FIFO, 24 ns, CQCC20, FIFO
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 24 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 25 MHz |
| 周期时间 | 40 ns |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 |
| 长度 | 8.89 mm |
| 内存密度 | 256 bi |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 字数 | 64 words |
| 字数代码 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64X4 |
| 输出特性 | TOTEM POLE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.03 mm |
| 最大压摆率 | 0.155 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm |
| SNJ54ALS236FK | SNJ54ALS236J | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 64 X 4 OTHER FIFO, 24 ns, CQCC20, FIFO | 64X4 OTHER FIFO, 24ns, CDIP16 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 24 ns | 24 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 25 MHz | 25 MHz |
| 周期时间 | 40 ns | 40 ns |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N20 | R-GDIP-T16 |
| 长度 | 8.89 mm | 19.56 mm |
| 内存密度 | 256 bi | 256 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 16 |
| 字数 | 64 words | 64 words |
| 字数代码 | 64 | 64 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64X4 | 64X4 |
| 输出特性 | TOTEM POLE | TOTEM POLE |
| 可输出 | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP16,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.03 mm | 5.08 mm |
| 最大压摆率 | 0.155 mA | 0.155 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.89 mm | 7.62 mm |
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