Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),12A I(T),TO-220
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 20 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 40 mA |
| 最大漏电流 | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 100 A |
| 最大通态电流 | 12000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 断态重复峰值电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |
| 5961-01-302-2057 | 5961-01-039-0333 | TIC116C | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),12A I(T),TO-220 | Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,50V V(DRM),12A I(T),TO-220 | 8A, 300V, SCR |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us | 100 V/us | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 20 mA | 20 mA | 20 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
| 最大维持电流 | 40 mA | 40 mA | 40 mA |
| 最大漏电流 | 2 mA | 2 mA | 2 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 100 A | 100 A | 80 A |
| 最大通态电流 | 12000 A | 12000 A | 8000 A |
| 最高工作温度 | 110 °C | 110 °C | 110 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 断态重复峰值电压 | 200 V | 50 V | 300 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - |
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