MMK2-67025L45/883概述

Multi-Port SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CQFP84,

MMK2-67025L45/883规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	TEMIC
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-XQFP-F84
内存密度	131072 bi
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	16
端口数量	2
端子数量	84
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QFF
封装等效代码	QFL84,1.2SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

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MMK2-67025L45/883相似产品对比

	MMK2-67025L45/883	MMK2-67025L25/883	MMK2-67025L30/883	MMK2-67025L-30	MMK2-67025V-30	MMK2-67025L-45	MMK2-67025L-35	MMK2-67025L35/883
描述	Multi-Port SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 30ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 30ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 30ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CQFP84,	Multi-Port SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CQFP84,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow	unknow	unknow
最长访问时间	45 ns	25 ns	30 ns	30 ns	30 ns	45 ns	35 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84	S-XQFP-F84
内存密度	131072 bi	131072 bit	131072 bit	131072 bit	131072 bi	131072 bi	131072 bi	131072 bi
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	84	84	84	84	84	84	84	84
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16	8KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF
封装等效代码	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ	QFL84,1.2SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0002 A	0.0004 A	0.0004 A	0.0004 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.28 mA	0.37 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.32 mA	0.28 mA	0.32 mA	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD

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