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BZX85C18

产品描述ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,18V V(Z),5%,DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小19KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BZX85C18概述

ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,18V V(Z),5%,DO-41

BZX85C18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗20 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
标称参考电压18 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流15 mA
Base Number Matches1

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BZX85C Series
V
Z
: 2.4 - 200 Volts
P
D
: 1.3 Watts
FEATURES :
* Complete Voltage Range 2.7 to 200 Volts
* High peak reverse power dissipation
* High reliability
* Low leakage current
SILICON ZENER DIODES
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
MIN.
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
MECHANICAL DATA
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.339 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Rating
DC Power Dissipation at T
L
= 50
°
C (Note1)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA
Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
Value
1.3
1.0
130
- 55 to + 175
- 55 to + 175
Unit
Watts
Volts
K/W
°
C
°
C
Note :
(1) T
L
= Lead temperature at 3/8 " (9.5mm) from body
(2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case.
Fig. 1 POWER TEMPERATURE DERATING CURVE
1.5
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(WATTS)
L = 3/8" (9.5mm)
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
50
75
100
125
T
L,
LEAD TEMPERATURE (
°
C)
150
175
UPDATE : SEPTEMBER 9, 2000
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