Datasheet> 器件分类 > 半导体> 可编程逻辑器件> A42MX04-2TQ100B

文档预览

A42MX04-2TQ100B: 产品描述FPGA, 684 CLBS, 14000 GATES, 135 MHz, PQFP100; 产品类别半导体可编程逻辑器件; 文件大小766KB，共123页; 制造商ETC1

下载文档详细参数全文预览

A42MX04-2TQ100B概述

FPGA, 684 CLBS, 14000 GATES, 135 MHz, PQFP100

现场可编程门阵列, 684 CLBS, 14000 门, 135 MHz, PQFP100

A42MX04-2TQ100B规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	100
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	3 V
额定供电电压	3.3 V
加工封装描述	PLASTIC, QFP-100
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLATPACK
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.6500 mm
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	QUAD
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
组织	684 CLBS, 14000 GATES
最大FCLK时钟频率	135 MHz
可配置逻辑模块数量	684
可编程逻辑类型	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
等效门电路数量	14000
一个CLB模块最大延时	2.1 ns

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

v6.0

40MX and 42MX FPGA Families

Features

High Capacity

•

Single-Chip ASIC Alternative

3,000 to 54,000 System Gates

Up to 2.5 kbits Configurable Dual-Port SRAM

Fast Wide-Decode Circuitry

Up to 202 User-Programmable I/O Pins

HiRel Features

•

Commercial, Industrial, Automotive, and Military

Temperature Plastic Packages

Commercial, Military Temperature, and MIL-STD-883

Ceramic Packages

QML Certification

Ceramic Devices Available to DSCC SMD

Ease of Integration

•

Mixed-Voltage Operation (5.0V or 3.3V for core and

I/Os), with PCI-Compliant I/Os

Up to 100% Resource Utilization and 100% Pin

Locking

Deterministic, User-Controllable Timing

Unique In-System Diagnostic and Verification

Capability with Silicon Explorer II

Low Power Consumption

IEEE Standard 1149.1 (JTAG) Boundary Scan Testing

High Performance

•

5.6 ns Clock-to-Out

250 MHz Performance

5 ns Dual-Port SRAM Access

100 MHz FIFOs

7.5 ns 35-Bit Address Decode

Product Profile

Device

Capacity

System Gates

SRAM Bits

Logic Modules

Sequential

Combinatorial

Decode

Clock-to-Out

SRAM Modules

(64x4 or 32x8)

Dedicated Flip-Flops

Maximum Flip-Flops

Clocks

User I/O (maximum)

PCI

Boundary Scan Test (BST)

Packages (by pin count)

PLCC

PQFP

VQFP

TQFP

CQFP

PBGA

A40MX02

3,000

–

295

–

9.5 ns

–

147

–

44, 68

100

–

A40MX04

6,000

–

547

–

9.5 ns

–

273

–

44, 68, 84

100

–

A42MX09

14,000

–

348

336

–

5.6 ns

–

348

516

104

–

100, 160

100

176

–

A42MX16

24,000

–

624

608

–

6.1 ns

–

624

928

140

–

100, 160, 208

100

176

–

A42MX24

36,000

–

954

912

6.1 ns

–

954

1,410

176

Yes

160, 208

–

176

–

A42MX36

54,000

2,560

1,230

1,184

6.3 ns

1,230

1,822

202

Yes

–

208, 240

–

208, 256

272

January 2004

See the Actel website (www.actel.com) for the latest version of this datasheet.

40MX and 42MX FPGA Families

Table of Contents

40MX and 42MX FPGA Families

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-1

MX Architectural Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-1

Other Architectural Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-6

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-8

Development Tool Support . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-13

Related Documents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-13

5.0V Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-14

5V TTL Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-15

3.3V Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-16

3.3V LVTTL Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-17

Mixed 5.0V/3.3V Operating Conditions (for 42MX Devices Only) . . . . . . . . . . . . . 1-18

Mixed 5.0V/3.3V Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-18

Output Drive Characteristics for 5.0V PCI Signaling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-19

Output Drive Characteristics for 3.3V PCI Signaling . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-20

Junction Temperature (T

) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-22

Package Thermal Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-22

Timing Models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-23

Parameter Measurement

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-25

Sequential Module Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-26

Sequential Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-27

Decode Module Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-28

SRAM Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-28

Dual-Port SRAM Timing Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-28

Predictable Performance: Tight Delay Distributions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-30

Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-30

Temperature and Voltage Derating Factors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-31

PCI System Timing Specification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-35

PCI Models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-35

Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-36

Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1-77

Package Pin Assignments

44-Pin PLCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2-1

68-Pin PLCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2-2

84-Pin PLCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2-3

v6.0

推荐资源

MAX8863低噪声超小型3V线性稳压电源

录音机自动断电电路

ARM支持实现MCU的高级视频图形功能: 需要高级视频图形功能的系统一直是实施的挑战。传统上，这些系统需要硬件功能和软件功能的复杂组合，以创建应用程序所需的必要的更高级别的视频和图形。最新的基于ARM的MCU现在提供了一套全面的 ......; fish001 微控制器 MCU

电路板申请: :)小小期待一下。。...; 132459228 FPGA/CPLD

还是钩子，按键一次响应两次的问题: 找了不少资料，造成这样的原因应该是按键按下和弹起都会触发消息。但是，怎么避免呢在vc下，有的做法是在hook过程函数处理之前加个判断，那些我没试过行不行。但是在wince下用如下方法判 ......; k.n.521 嵌入式系统

闲置一款CYCLONE IV EP4CE15F17C8开发板: 由于转向硬件，实在没空学习，在此低价抛售，有意者请点击CYCLONE IV EP4CE15F17C8开发板...; 风雨的承诺淘e淘

为什么电流和磁传感器对TWS（真无线耳机）的设计至关重要?: TWS（True Wireless Stereo，真无线耳机）正在耳机市场中快速崛起。现在，用户在使用流媒体设备时不必再为耳机线的缠绕问题而困扰了。真无线耳机是基于Bluetooth?的无线耳机，其左右通道被分 ......; Aguilera 模拟与混合信号

学习MSP430如何开篇: 51单片机的篇章，就此结束了，以后进入MSP430的篇章。51单片机是在读书在校时学习的；毕业工作了，一直使用stm32单片机。其实笔者之前也没有学过、用过MSP430；发现不少公司有在用这个的单片机 ......; fish001 微控制器 MCU

STM32时钟系统之利用 systick 定时器来实现准确的延时

　　本篇文章带着大家来认识一下 STM32 的时钟系统，以及利用 systick 定时器来实现一个比较准确的延时。　　我们首先从时钟说起，时钟在MCU中的作用，就好比于人类的心脏一样不可或缺。STM32 的时钟相比 51 的单一时钟要复杂些，它有多个时钟源可以使用，那么大家可能会有所疑惑，STM32 的时钟搞的那么复杂干什么，原因其实在于，STM32的外设资源比起51来说，是很丰富的，那么不同...[详细]
吉利短刀电池产能领先，2027年目标70GWh

8月23日，吉利旗下吉曜通行宣布，公司已拥有行业最大的短刀电池先进产能，并在全国拥有8大生产基地。预计到2027年，吉曜通行将形成70GWh的产能规模。今年4月，吉利整合旗下电池业务成立“吉曜通行”，将原有的金砖电池、神盾短刀电池统一为神盾金砖电池品牌。神盾金砖电池超级混动系列拥有超安全、超快充、超倍率、超长寿命等技术优势，将在极氪、领克、银河等品牌搭载。 5月29日，吉曜通行在生态日活动上...[详细]
基于android的远程控制智能灯

　　当你正在开心地看NBA或者足球的时候，你老婆叫你去把卧室房间的灯关掉，你是否很郁闷，当然不怕老婆的除外。　　现在你们有救了，这款灯可以用android手机app 控制(本人太穷因此不会出Iphone版本) ，让看球的同时，点点手机的按钮就能够关闭的灯了。　　首先，我们先看下整体的架构：　　看看硬件实现，组成部分： arduino主板，W5100(联网)，继电器(5V光电驱动)，普通L...[详细]
电动汽车的电磁辐射对人体健康有没有危害

电动汽车产生的电磁辐射对人体伤害大？近段时间，围绕电动汽车电磁辐射的问题引发广泛关注，然而，事实上，公众的认知大多是错误的，对电动汽车的电磁辐射缺乏正确的认知。9月30日，中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）副秘书长许艳华接受媒体专访，用真实的测试数据做出科学判断：电动汽车产生的电磁辐射对人体健康没有危害。我们生活的环境中，可以说电磁辐射无所不在，电动汽车也不例外，甚至传统的燃油车也有电...[详细]
基于CPLD的LED点阵显示控制器设计

　　场可编程器件(FPGA和 CPLD )等ISP器件无须编程器，利用器件厂商提供的编程套件，采用自顶而下的模块化设计方法，使用原理图或硬件描述语言(VHDL)等方法来描述电路逻辑关系，可直接对安装在目标板上的器件编程。它易学、易用、简化了系统设计，减小了系统规模，缩短设计周期，降低了生产设计成本，从而给电子产品的设计和生产带来了革命性的变化。本文引用地址： https://www.eepw...[详细]
基于FPGA的便携式逻辑分析仪设计

Logic analyzers are widely used tools in digital design verification and debugging. They can verify the proper functioning of digital circuits and help users identify and troubleshoot faults. They ...[详细]
整合芯片、软件及平台为一体的可穿戴式设计

For healthcare professionals, accurate diagnosis and treatment are crucial for a clear picture of a person's health. However, healthcare professionals often rely on tests at medical facilities, cli...[详细]
盖世汽车供应链：透视中国汽车芯片产业

随着智能电动汽车的快速普及，汽车芯片正从辅助控制单元，跃升为支撑整车智能化的“底座”。其应用范围从动力控制、底盘域、智能座舱、辅助驾驶域延展至整车中央计算平台，构建出一个高算力、高安全、高可靠的硬核体系。在全球芯片巨头如英伟达、高通、英飞凌等持续加码的同时，华为、比亚迪、地平线、黑芝麻智能等本土企业正快速崛起，推动国产替代加速落地。伴随整车架构向中央计算与域控制器转型，汽车芯片的产业链格局正被深...[详细]
速腾聚创：ADAS激光雷达收入下降，但机器人业务扛起大旗

毛利率从去年上半年的13.6%跃升至25.9%，几乎同比翻倍。 8月21日，速腾聚创发布了中期业绩报告，其中毛利率的增长非常亮眼。财报显示，速腾聚创今年上半年收今年第二季度达到了27.7%。其中 ADAS 的毛利率为19.4%，机器人及其他为41.5%，毛利率已经连续第6个季度稳步上升。在电话会上，速腾聚创CEO邱纯潮在业绩会上透露，在L4全球领域的领先企业中，速腾聚创合作的...[详细]
单片机stm32的5个时钟源的详细分析

　　众所周知STM32有5个时钟源HSI、HSE、LSI、LSE、PLL，其实他只有四个，因为从上图中可以看到PLL都是由HSI或HSE提供的。　　其中，高速时钟(HSE和HSI)提供给芯片主体的主时钟.低速时钟(LSE和LSI)只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用，图中可以看出高速时钟也可以提供给RTC。　　内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上...[详细]
消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8 月 22 日消息，韩媒 Nate 当地时间 20 日报道称，三星电子正在向其当下最先进的 2nm 级制程工艺中导入 Hyper Cell 技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在 AI / HPC 芯片代工市场的竞争力。单元 (Cell) 是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的 6T 库、7.5T 库）。三星的 ...[详细]
Power Integrations推出太阳能赛车专用参考设计，采用高效率氮化镓芯片

PowiGaN在轻载和满载时均实现95%高效率，满足关键的运行和安全功能需求澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞， 2025年8月22日讯 –Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时，37支学生队伍已整装待发，将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛，穿越澳洲内陆地区。该套件型号为RDK-85SLR，采用了PI™公司一款集成Po...[详细]
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计

在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium...[详细]
7年后回看自动驾驶：我们当初的预测对错几何？

我的职业生涯始终与半导体行业紧密相连，从产品管理到内容营销，我曾在多个岗位上做过无数预测与展望。无论是产品需求预测，还是新兴技术趋势研判，我都有过精准命中，也不乏误判失手。最近，我重读了自己在2018年5月撰写的“自动驾驶汽车是如何工作的？”一文。时至今日，这篇文章仍是美光阅读量最高的文章之一。在自动驾驶和汽车解决方案备受关注的今天，让我们看看这篇文章的独到之处。当时看来，这不过是篇寻常...[详细]
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多