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P6SMB200R4G: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小209KB，共6页; 制造商Taiwan Semiconductor; 官网地址http://www.taiwansemi.com/; 标准

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P6SMB200R4G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 162V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Taiwan Semiconductor
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	220 V
最小击穿电压	180 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	3 W
参考标准	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压	162 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	PURE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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