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BZY55C33-C0RYG

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小236KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZY55C33-C0RYG概述

Zener Diode

BZY55C33-C0RYG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型ZENER DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)260
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
处于峰值回流温度下的最长时间30

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BZY55C2V4 thru BZY55C36
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
5% Tolerance SMD Zener Diode
FEATURES
- Wide zener voltage range selection: 2.4V to 36V
- Surface device type mounting
- Moisture sensitivity level 1
- Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
- Pb free and RoHS compliant
- Halogen free
0805
MECHANICAL DATA
- Case: 0805
- High temperature soldering guaranteed: 260
o
C/10s
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight : 0.006 grams (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Power Dissipation
Forward Voltage
I
F
= 10 mA
(Note 1)
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
Junction and Storage Temperature Range
SYMBO
P
D
V
F
R
θJA
T
J
, T
STG
VALUE
500
1.5
300
- 55 to +150
o
UNIT
mW
V
C/W
o
C
Note 1: Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
Zener I vs. V Characteristics
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
I
ZM
V
ZM
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
Document Number: DS_S1408017
Version: C14
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