100E2R3BPN3600XC,100E2R3BPN3600XC pdf中文资料,100E2R3BPN3600XC引脚图,100E2R3BPN3600XC电路-Datasheet-电子工程世界

100E2R3BPN3600XC: 产品描述Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3600V, 4.35% +Tol, 4.35% -Tol, 90+/-30ppm/Cel TC, 0.0000023uF, Surface Mount, 3838, CHIP; 产品类别无源元件电容器; 文件大小343KB，共6页; 制造商ATC [American Technical Ceramics]

下载文档详细参数全文预览

100E2R3BPN3600XC概述

Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3600V, 4.35% +Tol, 4.35% -Tol, 90+/-30ppm/Cel TC, 0.0000023uF, Surface Mount, 3838, CHIP

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ATC [American Technical Ceramics]
包装说明	, 3838
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	STANDARD: MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123
电容	0.0000023 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
JESD-609代码	e0
制造商序列号	ATC100E
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	4.35%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装方法	TRAY
正容差	4.35%
额定（直流）电压（URdc）	3600 V
尺寸代码	3838
表面贴装	YES
温度系数	90+/-30ppm/Cel ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形状	WRAPAROUND

测评周报20220801：嘉楠K510 AI开发套件上线，还有一款国产FPGA预计本周上~: 本周测评周报看点：-新活动：嘉楠最新高性能图形及语音处理AI芯片勘智K510，开发套件等你来申请-新预告：一款国产FPGA本周预计上，以前没上过，猜猜是哪家？-新测评：（1）justd0自画的沁恒PD诱骗CH224K板，输出就是达不到20v，官方的就可以；（2）国民技术低功耗MCU爆更，一个优秀网友的1.5寸的16灰OLED上硬件I2C就是通不了；（3）米尔全志YT507爆更（4）国产FPGA安路...; EEWORLD社区测评中心专版

请问altium designer18设定板边的安全间距无效是怎么回事？: 如图，在Manufacturing中设定板边Outline Edge到各个元素之间的间距，发现只对Polygon灌铜有效，其余统统无效，请教这是什么原因？莫非设定板边到各类焊盘、过孔、走线的间距，还需要单独新增一个间距规则吗？...; elec32156 PCB设计

设计揭秘：Moto Fone手机拆解: 尽管大众关注的热点聚焦于高端移动设备，比如苹果公司的iPhone，但低端市场同样是热潮涌动，至少在技术领域是这样。摩托罗拉公司的F3 Fone就是这种入门级产品的一个很好例子。为了确认这一领域中的技术创新水平，Portelligent公司在这款双频GSM手机发布后不久就对它进行了拆解。 F3 Fone在印度农村完成了平静的发布过程，主要对象是首次使用手机并且希望采用低价预付费或按月服务的用户。目前...; 黑衣人 DIY/开源硬件专区

fatfs移植困惑: 在main函数中调用f_open()函数时，返回值为FR_NO_FILESYSTEM的错误，这个怎么修改的，是否需要修改ffconf.h里的宏定义的呢？...; NSSH_1989 stm32/stm8

普通电阻器的串联电路和并联电路: 在电路中，主要有串联和并联两种连接方式。串联电路根据字面意思可以直接理解为以串联方式连接的电路称为串联电路，其主要是电阻越串联的多,阻值就越大,越并联的多,电阻就越小。而并联电路是指在电路中，所有电阻(或其他电子元件)的输入端和输出端分别被连接在一起，下面对两种电路进行详细说明：电阻器的两端点传戒的方式首位连接，并形成一个封闭回路，这类电路就称之为串联电路。在串联电路中,电阻器的总电阻值为各电阻器...; Aguilera 模拟与混合信号

功率MOSFET并联均流问题研究: 功率MOSFET并联均流问题研究＊对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。 0 引言随着电力电子技术的迅速发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优...; zbz0529 电源技术

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多