HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | PLASTIC, CC-20 |
| 针数 | 20 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.9662 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 23 ns |
| 传播延迟（tpd） | 23 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.9662 mm |
| M74HC00C1 | M74HC00F1 | M74HC00B1N | M54HC00F1 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 | HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFN | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, CC-20 | FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 | PLASTIC, DIP-14 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 20 | 14 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 系列 | HC/UH | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J20 | R-GDIP-T14 | R-PDIP-T14 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 输入次数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCJ | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | LDCC20,.4SQ | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V |
| 传播延迟（tpd） | 23 ns | 23 ns | 23 ns | 27 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | 5 mm | 5.1 mm | 5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.9662 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | - | 23 ns | 23 ns | 27 ns |
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