32KX8 EEPROM 3V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 200 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 13.995 mm |
内存密度 | 262144 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
页面大小 | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES |
宽度 | 11.455 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
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