512KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, 2.80 MM HEIGHT, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | WQCCN, LCC32,.45X.55 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 250 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | UVPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | WQCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER, WINDOW |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.28 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.43 mm |
M27V401-250L6 | M27V401-250L1 | M27V401-200L6 | |
---|---|---|---|
描述 | 512KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, 2.80 MM HEIGHT, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 | 512KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, 2.80 MM HEIGHT, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 | 512KX8 UVPROM, 200ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | QFJ | QFJ | QFJ |
包装说明 | WQCCN, LCC32,.45X.55 | WQCCN, LCC32,.45X.55 | WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 |
针数 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | _compli | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 250 ns | 250 ns | 200 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | WQCCN | WQCCN | WQCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER, WINDOW | CHIP CARRIER, WINDOW | CHIP CARRIER, WINDOW |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3/5 V | 3.3/5 V | 3.3/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.28 mm | 2.28 mm | 2.28 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.2 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | 11.43 mm |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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