Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, ISOLATED MINISTUD-1
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SSDI |
包装说明 | O-MUPM-D1 |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大击穿电压 | 220.5 V |
最小击穿电压 | 199.5 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 1000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 5 W |
参考标准 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 180 V |
表面贴装 | NO |
技术 | ZENER |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
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