Memory Circuit, Flash+PSRAM, 8MX16, CMOS, PBGA64, 8 X 11.60 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-64
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SPANSION |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA64,10X12,32 |
针数 | 64 |
Reach Compliance Code | compli |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | PSRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 |
长度 | 11.6 mm |
内存密度 | 134217728 bi |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+PSRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 64 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 8MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA64,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8 mm |
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