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H5TQ1G63AFP-H8C

产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.125ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96
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文件大小863KB,共77页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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H5TQ1G63AFP-H8C概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.125ns, CMOS, PBGA96, FBGA-96

H5TQ1G63AFP-H8C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA96,9X16,32
针数96
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.125 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织64MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA96,9X16,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.1 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.43 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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