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H5TC2G83FFR-H9L

产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
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文件大小655KB,共33页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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H5TC2G83FFR-H9L概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

H5TC2G83FFR-H9L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA78,9X13,32
针数78
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.255 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度11 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.35 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.5 mm

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