SST32HF64161C-70-4E-BFS,SST32HF64161C-70-4E-BFS pdf中文资料,SST32HF64161C-70-4E-BFS引脚图,SST32HF64161C-70-4E-BFS电路-Datasheet-电子工程世界

SST32HF64161C-70-4E-BFS: 产品描述Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA63, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, MO-210, TFBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小483KB，共39页; 制造商Silicon Laboratories Inc

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SST32HF64161C-70-4E-BFS概述

Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA63, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, MO-210, TFBGA-63

参数名称	属性值
厂商名称	Silicon Laboratories Inc
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	SRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
长度	10 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	63
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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