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M378T2863DZS-CCC: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, UDIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小474KB，共24页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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M378T2863DZS-CCC概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, UDIMM-240

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最近在焊cyclone ii好难大家分享点经验: 一直在准备实验板，芯片ep2c8q208，我焊了好几块了，结果不太理想，大家给一些经验吧。第一块：班子和芯片全不完蛋了第二块：勉强能用，捣掉了一个管教第三块：还行吧第四块：竟然发现剩下两块芯片，都少了一个脚啊现在看见那板子，我两手发抖，浑身发软啊:L...; zhangkai0215 聊聊、笑笑、闹闹

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USB匹配电阻: 做过USB的人都或许有一个纠结，那就是D+和D-上到底要串多大的电阻，串在源端还是终端。想说：网络上的说法都不完全正确，首先USB有低速、全速和高速之分，在低速和全速模式下是电压驱动的，驱动电压为3.3V，但在高速模式下是电流驱动的，驱动电流为17.78mA，host-device模型如下：Host和device的D+和D-都有45ohm的电阻端接到地，所以每根线的并联电阻为22.5ohm，17....; 灞波儿奔模拟与混合信号

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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