电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

M368L3324BUM-CC4

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小360KB,共23页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

M368L3324BUM-CC4概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

M368L3324BUM-CC4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数184
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.65 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级2
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

M368L3324BUM-CC4相似产品对比

M368L3324BUM-CC4 M368L6523BUM-LC4 M368L6523BUM-CC4 M381L2923BUM-CC4 M381L2923BUM-LC4 M381L6523BUM-CC4 M368L2923BUM-CC4 M368L2923BUM-LC4 M368L3324BUM-LC4
描述 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 64MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 184 184 184 184 184 184 184 184 184
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.65 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 2147483648 bi 4294967296 bit 4294967296 bit 9663676416 bit 9663676416 bit 4831838208 bit 8589934592 bit 8589934592 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 72 72 72 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 184 184 184 184 184 184 184 184 184
字数 33554432 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words 134217728 words 134217728 words 33554432 words
字数代码 32000000 64000000 64000000 128000000 128000000 64000000 128000000 128000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 64MX64 64MX64 128MX72 128MX72 64MX72 128MX64 128MX64 32MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 250 NOT SPECIFIED 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 40 40
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
湿度敏感等级 2 2 2 3 - 2 2 2 2
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 1 - -
Avr 单片机紧急求助
本人初学AVR,几乎找不到入门,能否给点意见?手上有一块TS8900-M128 的开发板,芯片是ATMEGA128的,谁有全套资料包括视频,能否发我一下,谢谢了!...
fjm0218 Microchip MCU
如何将DA0832产生的波形在12864J显示出来
本人最近做接口课程设计,题目是函数发生器,现在想如何将产生的波形在12864显示,可是查看的代码,都是将图形先转成点阵,可这样不是就不需要da转换器了,直接产生图形就好了,请大家指教下...
河马 嵌入式系统
锂电池的安全问题
[i=s] 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2017-4-18 21:11 编辑 [/i][size=4]锂离子电池是现阶段能量密度最高的二次电池类型,另外由于工作电压比较高(约3.6V),单节就可以直接驱动很多电子设备,因此在手机等便携式设备上广泛应用。锂离子电池工作时电压比较平稳,但是在充电或放电过程的末段,电动势会急剧变化,如下图如果对电池不加保护,很容易出现电池过充或过放,会产生灾难...
qwqwqw2088 模拟与混合信号
STM32调试笔记—在评估板上DFU STM3210B-EVAL_Demo例程
请教在DFU leave 时报错的原因1、目的:将STM3210B-EVAL_Demo通过DFU更新到 评估板中 演示评估板demo2、步骤: a 将 um0424 中 Device_Firmware_Upgrade以JTAG 方式下载到评估板中注意:将工程选择为STM3210B-EVAL 而不是默认的STM3210E-EVAL如果下载成功,插上USB线就会弹出更新驱动的对话框 按照demo文档中...
hanker510 stm32/stm8
ARM嵌入式WINCE实践教程
ARM嵌入式WINCE实践教程...
呱呱 WindowsCE
Windows CE下的地图显示引擎的开发与应用.pdf
Windows CE下的地图显示引擎的开发与应用.pdf...
yuandayuan6999 单片机

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 43  273  315  1182  1478 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved