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KM732V689AT-67

产品描述Cache SRAM, 64KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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文件大小437KB,共15页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM732V689AT-67概述

Cache SRAM, 64KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

KM732V689AT-67规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.8 ns
其他特性SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)149 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度2097152 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

KM732V689AT-67相似产品对比

KM732V689AT-67 KM732V689AT-10 KM732V689AT-72
描述 Cache SRAM, 64KX32, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 Cache SRAM, 64KX32, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 QFP QFP QFP
包装说明 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87 LQFP, QFP100,.63X.87
针数 100 100 100
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 3.8 ns 4.5 ns 4 ns
其他特性 SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE SELF TIMED WRITE CYCLE; BYTE WRITE
最大时钟频率 (fCLK) 149 MHz 100 MHz 138 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 2097152 bi 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 32 32 32
功能数量 1 1 1
端子数量 100 100 100
字数 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX32 64KX32 64KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.02 A 0.02 A 0.02 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.32 mA 0.22 mA 0.28 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm
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