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K7A163625A-QC850

产品描述Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
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文件大小415KB,共19页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7A163625A-QC850概述

Cache SRAM, 512KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7A163625A-QC850规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度18874368 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

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