DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, |
针数 | 60 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 64MX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11 mm |
K4T56043QF-GCE60 | K4T56043QF-GLE60 | K4T56043QF-GLCC0 | K4T56083QF-GLCC0 | K4T56083QF-GLD50 | K4T56083QF-GLE60 | K4T56043QF-GLD50 | |
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描述 | DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, | TFBGA, |
针数 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns | 0.6 ns | 0.6 ns | 0.5 ns | 0.45 ns | 0.5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 |
长度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit | 268435456 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 8 | 8 | 8 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 32000000 | 32000000 | 32000000 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | 64MX4 | 64MX4 | 64MX4 | 32MX8 | 32MX8 | 32MX8 | 64MX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm | 11 mm |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
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