电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

K4T56043QF-GCE60

产品描述DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小469KB,共36页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

K4T56043QF-GCE60概述

DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

K4T56043QF-GCE60规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度13 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11 mm

K4T56043QF-GCE60相似产品对比

K4T56043QF-GCE60 K4T56043QF-GLE60 K4T56043QF-GLCC0 K4T56083QF-GLCC0 K4T56083QF-GLD50 K4T56083QF-GLE60 K4T56043QF-GLD50
描述 DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 60 60 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 268435456 bi 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 4 4 8 8 8 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 60 60 60 60 60 60
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 32000000 32000000 32000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 64MX4 64MX4 64MX4 32MX8 32MX8 32MX8 64MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
【 XMC4800 Relax EtherCAT Kit测评】+上手DAVE,WINUSB APP 应用体验
[i=s] 本帖最后由 flyword 于 2019-2-12 22:42 编辑 [/i][align=left][color=rgb(0, 0, 0)][font=Calibri, sans-serif][size=10.5pt][/size][/font][/color][/align][align=left][color=rgb(0, 0, 0)][font=Calibri, sans-se...
flyword 工控电子
C语言怎么实现多任务的?
用习惯了汇编的时间片轮,突然想起来,C怎么实现的呢?要求不多高,假如按键,LED,数码管,红外解码要求同时处理怎么解决这个问题的?继续在中断设标志然后片轮任务吗?还是说有什么好的解决办法呢?单片机而已,没有操作系统的任务调配。请指教一下,thx。...
ccxida 编程基础
S3C2440相关移植详细资料谁有?共享一下
小弟初学ARM9,网上移植资料繁多,但多不大仔细..希望大侠们多多指导,谢谢共享(*^__^*)...
lqdz68 嵌入式系统
运放的供电电压和输入信号电压有什么联系?
我现在使用了差分运放AD8139,供的电压为±5V,输入信号为0~8V,工作还正常。但怕这样是不是存在隐患,因为8V已经超过供电的最大值5V了,请问这会有什么联系吗,供电电压会限制输入信号的电压值吗?...
cuitzhs 模拟电子
请教一下,sigma 8622能否跑wince?
我想在 sigma8622上跑wince,不知行不行啊?...
hqs138641 WindowsCE
stm32rtc晶振起振问题
做了一批板子,焊了几个 外部晶振32.768是6p的刚开始可以起振可是放了一段时间 就很难起振了偶尔可以外部接的10pf电容什么问题呀这是为什么一会好一会坏呢while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_LSERDY) == RESET);停在这?应该是老问题了请问是什么原因布线?有什么解决方法...
farmerhou stm32/stm8

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 7  44  64  1005  1145 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved