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RSQ035N03FRATR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小920KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSQ035N03FRATR概述

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN

RSQ035N03FRATR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.094 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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770781327 stm32/stm8

 
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