4A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC8, 3 X 3 MM, PLASTIC, MO-220VEEC, QFN-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | QFN |
包装说明 | HVQCCN, LCC8,.12SQ,25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
高边驱动器 | YES |
接口集成电路类型 | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | S-PQCC-N8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 3 mm |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
标称输出峰值电流 | 4 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVQCCN |
封装等效代码 | LCC8,.12SQ,25 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
最大供电电压 | 5.5 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
标称供电电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm |
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