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HS9-65758RH

产品描述32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDFP28
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文件大小337KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HS9-65758RH概述

32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDFP28

HS9-65758RH规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-CDFP-F28
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子位置DUAL

HS9-65758RH相似产品对比

HS9-65758RH HS1-65758RH HS9-65759RH
描述 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDFP28 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP28 32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDFP36
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 35 ns 35 ns 35 ns
JESD-30 代码 R-CDFP-F28 R-CDIP-T28 R-CDFP-F36
内存密度 262144 bi 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 28 28 36
字数 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2 V 2 V 2 V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) -
Base Number Matches - 1 1

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