DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | QIMONDA |
包装说明 | FBGA, BGA84,9X15,32 |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 0.6 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 536870912 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
端子数量 | 84 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
组织 | 32MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA |
封装等效代码 | BGA84,9X15,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.004 A |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
HYB18T512160AC-5 | HYB18T512800AC-3.7 | HYB18T512400AC-5 | |
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描述 | DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 | DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60 | DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | QIMONDA | QIMONDA | QIMONDA |
包装说明 | FBGA, BGA84,9X15,32 | FBGA, BGA60,9X11,32 | FBGA, BGA60,9X11,32 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
最长访问时间 | 0.6 ns | 0.5 ns | 0.6 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 267 MHz | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 536870912 bi | 536870912 bit | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 | 8 | 4 |
端子数量 | 84 | 60 | 60 |
字数 | 33554432 words | 67108864 words | 134217728 words |
字数代码 | 32000000 | 64000000 | 128000000 |
组织 | 32MX16 | 64MX8 | 128MX4 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | FBGA | FBGA | FBGA |
封装等效代码 | BGA84,9X15,32 | BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 |
连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
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