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HYB18T512160AC-5

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84
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文件大小2MB,共96页
制造商QIMONDA
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HYB18T512160AC-5概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

HYB18T512160AC-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称QIMONDA
包装说明FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B84
JESD-609代码e0
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA84,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度4,8
最大待机电流0.004 A
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

HYB18T512160AC-5相似产品对比

HYB18T512160AC-5 HYB18T512800AC-3.7 HYB18T512400AC-5
描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60 DDR DRAM, 128MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 QIMONDA QIMONDA QIMONDA
包装说明 FBGA, BGA84,9X15,32 FBGA, BGA60,9X11,32 FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
最长访问时间 0.6 ns 0.5 ns 0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 267 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 536870912 bi 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 8 4
端子数量 84 60 60
字数 33554432 words 67108864 words 134217728 words
字数代码 32000000 64000000 128000000
组织 32MX16 64MX8 128MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA84,9X15,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192
连续突发长度 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
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