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PHP3N60

产品描述TRANSISTOR 4.8 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PHP3N60概述

TRANSISTOR 4.8 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

PHP3N60规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)290 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)4.8 A
最大漏源导通电阻2.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)19 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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