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8TQ100STRLPBF

产品描述8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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8TQ100STRLPBF概述

8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

8 A, 100 V, 硅, 整流二极管, TO-263AB

8TQ100STRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流850 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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8TQ...SPbF Series
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 8 A
FEATURES
Base
cathode
2
1
D
2
PAK
N/C
3
Anode
175 °C T
J
operation
Available
Low forward voltage drop
RoHS*
High frequency operation
COMPLIANT
High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)
• Designed and qualified for Q101 level
DESCRIPTION
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
8A
80/100 V
The 8TQ... Schottky rectifier series has been optimized for
low reverse leakage at high temperature. The proprietary
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
Range
t
p
= 5 µs sine
8 Apk, T
J
= 125 °C
Range
VALUES
8
80/100
850
0.58
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
8TQ080SPbF
80
8TQ100SPbF
100
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
See fig. 5
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy
Repetitive avalanche current
SYMBOL
I
F(AV)
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
C
= 157 °C, rectangular waveform
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
VALUES
8
850
A
230
7.50
0.50
mJ
A
UNITS
A
T
J
= 25 °C, I
AS
= 0.50 A, L = 60 mH
Current decaying linearly to zero in 1 µs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 94266
Revision: 26-May-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1

8TQ100STRLPBF相似产品对比

8TQ100STRLPBF 8TQ100STRRPBF
描述 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
针数 4 4
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 HIGH POWER HIGH POWER
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.58 V 0.58 V
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 850 A 850 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10
Base Number Matches 1 1
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