High- Performance EE CPLD
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
| 针数 | 84 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 其他特性 | 64 MACROCELLS; IN-SYSTEM PROGRAMMABLE; JTAG BOUNDARY-SCAN TEST CIRCUITRY |
| 最大时钟频率 | 60 MHz |
| 系统内可编程 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J84 |
| JESD-609代码 | e0 |
| JTAG BST | YES |
| 长度 | 29.3116 mm |
| 专用输入次数 | |
| I/O 线路数量 | 64 |
| 宏单元数 | 64 |
| 端子数量 | 84 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 0 DEDICATED INPUTS, 64 I/O |
| 输出函数 | MACROCELL |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC84,1.2SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 3.3/5,5 V |
| 可编程逻辑类型 | EE PLD |
| 传播延迟 | 25 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大供电电压 | 5.25 V |
| 最小供电电压 | 4.75 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 29.3116 mm |
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