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NM24C17FN

产品描述IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小814KB,共16页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NM24C17FN概述

IC 2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM

NM24C17FN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE
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