3A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
| 包装说明 | O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 应用 | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接 | CATHODE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 100 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V |
| 最大反向电流 | 50 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.3 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MR832 | MR831 | |
|---|---|---|
| 描述 | 3A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE | 3A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | O-MALF-W2 | O-MALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 应用 | FAST RECOVERY POWER | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接 | CATHODE | CATHODE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | O-MALF-W2 | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 100 A | 100 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 3 A | 3 A |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 200 V | 100 V |
| 最大反向电流 | 50 µA | 50 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.3 µs | 0.3 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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