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MCM63R918RS4.4

产品描述512KX18 LATE-WRITE SRAM, 2.2ns, CBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, FLIP CHIP, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小253KB,共21页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM63R918RS4.4概述

512KX18 LATE-WRITE SRAM, 2.2ns, CBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, FLIP CHIP, BGA-119

MCM63R918RS4.4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.2 ns
JESD-30 代码R-CBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度9437184 bi
内存集成电路类型LATE-WRITE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX18
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.02 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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