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MF3129-M6DAP01

产品描述SRAM Card, 64KX16, 200ns, MOS
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文件大小258KB,共8页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MF3129-M6DAP01概述

SRAM Card, 64KX16, 200ns, MOS

MF3129-M6DAP01规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码X-XXMA-X60
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型SRAM CARD
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度50 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2.6 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED

MF3129-M6DAP01相似产品对比

MF3129-M6DAP01 MF3129-M6DAP00
描述 SRAM Card, 64KX16, 200ns, MOS SRAM Card, 64KX16, 200ns, MOS
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 200 ns
JESD-30 代码 X-XXMA-X60 X-XXMA-X60
内存密度 1048576 bi 1048576 bit
内存集成电路类型 SRAM CARD SRAM CARD
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 60 60
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 50 °C 50 °C
组织 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2.6 V 2.6 V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
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