Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micross |
零件包装代码 | DLCC |
包装说明 | SON, SOLCC32,.4 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 45 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDSO-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20.955 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 256KX4 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | SON |
封装等效代码 | SOLCC32,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大待机电流 | 0.016 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
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