Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | DIMM, |
针数 | 144 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 |
内存密度 | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 144 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 16MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
WED3DG6418V10D1I | WED3DG6418V75D1I | WED3DG6418V7D1I | WED3DG6418V10D1 | WED3DG6418V75D1 | WED3DG6418V7D1 | |
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描述 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
零件包装代码 | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE |
包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
针数 | 144 | 144 | 144 | 144 | 144 | 144 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 |
内存密度 | 1073741824 bi | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bi | 1073741824 bi | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 144 | 144 | 144 | 144 | 144 | 144 |
字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
组织 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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