MVSMLJ110TR,MVSMLJ110TR pdf中文资料,MVSMLJ110TR引脚图,MVSMLJ110TR电路-Datasheet-电子工程世界

MVSMLJ110TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小190KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MVSMLJ110TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-214AB
包装说明	PLASTIC PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	149 V
最小击穿电压	122 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.61 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
最大重复峰值反向电压	110 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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PCB抗干扰设计原则: 一电源线布置：1、根据电流大小，尽量调宽导线布线。2、电源线、地线的走向应与资料的传递方向一致。3、在印制电路板的电源输入端应接上10~100μF的去耦电容。二地线布置：1、数字地与模拟地分开。2、接地线应尽量加粗，致少能通过3倍于印制电路板上的允许电流，一般应达2~3mm。3、接地线应尽量构成死循环回路，这样可以减少地线电位差。三去耦电容配置：1、印制电路板电源输入端跨接10~100μF的...; 毛承玲 PCB设计

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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