Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | SODIMM-144 |
| 针数 | 144 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 9 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 |
| 内存密度 | 1073741824 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 144 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 16MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| MT8LSDT1664LHG-662B2 | MT8LSDT1664LHY-10EB1 | MT8LSDT1664LHG-10EB1 | MT8LSDT1664HG-662B2 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE |
| 针数 | 144 | 144 | 144 | 144 |
| Reach Compliance Code | unknow | compliant | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 9 ns | 6 ns | 6 ns | 9 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 | R-XDMA-N144 |
| 内存密度 | 1073741824 bi | 1073741824 bit | 1073741824 bit | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 144 | 144 | 144 | 144 |
| 字数 | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | 16000000 | 16000000 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 | 16MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 | 260 | 235 | 235 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | 30 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 | - |
| JESD-609代码 | - | e4 | e0 | e0 |
| 端子面层 | - | Gold (Au) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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