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D1201: 产品描述METAL GATE RF SILICON FET; 文件大小14KB，共2页; 制造商SEME-LAB; 官网地址http://www.semelab.co.uk

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D1201概述

METAL GATE RF SILICON FET

	D1201	D1201UK
描述	METAL GATE RF SILICON FET	METAL GATE RF SILICON FET

关于单片机硬件抗干扰: 在研制带处理器的电子产品时，如何提高抗干扰能力和电磁兼容性？一、下面的一些系统要特别注意抗电磁干扰：1、微控制器时钟频率特别高，总线周期特别快的系统。2、系统含有大功率，大电流驱动电路，如产生火花的继电器，大电流开关等。3、含微弱模拟信号电路以及高精度A/D变换电路的系统。二、为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施：1、选用频率低的微控制器：选用外时钟频率低的微控制器可以有效降低噪声和提高系统的抗...; san0209 单片机

求助：网页下载: 我在evc的模拟器上下载网页，编程中用到套接字，代码如下：WSADATAwsaData;if(WSAStartup(MAKEWORD(2,0),&wsaData)? ?LOBYTE(wsaData.wVersion)!=2)return;///创建SOCKET对象SOCKETsock=socket(AF_INET,SOCK_STREAM, IPPROTO_TCP); //ppe->p_protoi...; tianhaijing 嵌入式系统

一起来拍砖 EasyFlash 类型转换插件的 API 方法: [i=s] 本帖最后由 armink 于 2015-12-16 19:09 编辑 [/i][url=https://github.com/armink/EasyFlash][b]EasyFlash[/b][/url] 马上1岁了，以前来EEWORLD次数少，最近也经常关注论坛，感觉坛子的气氛不错的，所以也多想跟大家一起分享、交流技术。也希望大家多多支持 EasyFlash ，一起来维护属于我们大家...; armink 单片机

mos 管隔离驱动电路，如果驱动高压 MOS 管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的...: mos 管隔离驱动电路，如果驱动高压 MOS 管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。变压器常见问题和与 MOS 管驱动相...; btty038 模拟电子

“Vds-id”门级电压步步高: 运行Vds-id DC ITM漏极[1]扫描电压的默认设置是0-4V，以100 mV为一个步长，同时门极电压有三级：1.5，2.0，2.5V（图1，图2）。当改变这些设置时，请注意，电压和步长的设置可以用于Vds-id-pulse测试的设置。图1. 直流VDS- ID ITM Graph[2]选项页图2. 直流Vds-id ITM definition 选项页1. 双击项目导航栏中的Vds-id ...; Jack_ma 测试/测量

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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