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PIC16LF18875T-E/MV

产品描述RISC MICROCONTROLLER
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小6MB,共666页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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PIC16LF18875T-E/MV概述

RISC MICROCONTROLLER

PIC16LF18875T-E/MV规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明HVQCCN,
Reach Compliance Codecompli
具有ADCYES
其他特性ALSO OPERATES AT 1.8 V SUPPLY AT 16 MHZ
地址总线宽度
位大小8
最大时钟频率32 MHz
DAC 通道YES
DMA 通道NO
外部数据总线宽度
集成缓存NO
JESD-30 代码S-PQCC-N40
长度5 mm
I/O 线路数量36
端子数量40
计时器数量7
片上数据RAM宽度8
片上程序ROM宽度14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
RAM(字节)1024
RAM(字数)1024
ROM(单词)8192
ROM可编程性FLASH
筛选级别ISO/TS-16949
座面最大高度0.55 mm
速度32 MHz
最大供电电压3.6 V
最小供电电压2.5 V
标称供电电压3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置QUAD
宽度5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER, RISC

文档解析

在设计基于PIC16(L)F18855/75微控制器的产品时,优化内存使用可以通过以下方法来满足不同应用的需求:

  1. 理解内存结构:首先,需要了解PIC16(L)F18855/75的内存结构,包括其程序闪存、数据SRAM、EEPROM和各种特殊功能寄存器。这些内存类型有不同的用途和访问方式。

  2. 代码优化

    • 使用紧凑的编码技术,例如选择更小的指令集或使用位操作来减少代码大小。
    • 利用编译器优化选项,如代码压缩和库函数优化。
  3. 数据存储优化

    • 对于经常访问的数据,考虑使用SRAM而不是EEPROM,因为SRAM的访问速度更快。
    • 对于需要长期存储的数据,使用EEPROM,但注意写入次数限制。
  4. 使用间接寻址:通过使用文件选择寄存器(FSR)进行间接寻址,可以有效地管理数据内存,尤其是在处理大型数据结构时。

  5. 利用线性数据内存:利用FSR的线性数据内存模式,可以访问跨越多个内存银行的连续数据,而不需要频繁切换银行。

  6. 配置位设置:合理配置配置位,如代码保护、写保护和电源管理,以优化内存使用和保护。

  7. 内存映射:了解并合理利用内存映射,确保关键功能如中断向量和特殊功能寄存器的快速访问。

  8. 避免内存碎片:在编程时注意内存分配,避免内存碎片化,确保有足够的连续内存空间用于程序运行。

  9. 使用数据缓冲区:对于需要快速处理的数据,使用数据缓冲区可以提高效率,减少对内存的频繁访问。

  10. 动态内存管理:如果应用允许,可以实现动态内存分配和释放,以适应运行时变化的内存需求。

  11. 测试和调试:使用模拟器和调试工具来测试内存使用情况,确保没有内存泄漏或不必要的内存占用。

通过上述方法,可以有效地优化基于PIC16(L)F18855/75微控制器的产品设计中的内存使用,从而提高性能和可靠性。

PIC16LF18875T-E/MV相似产品对比

PIC16LF18875T-E/MV PIC16LF18855T-E/SS PIC16LF18875T-E/ML
描述 RISC MICROCONTROLLER RISC MICROCONTROLLER RISC MICROCONTROLLER
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
包装说明 HVQCCN, SSOP, SSOP28,.3 QCCN,
Reach Compliance Code compli compli compli
具有ADC YES YES YES
其他特性 ALSO OPERATES AT 1.8 V SUPPLY AT 16 MHZ ALSO OPERATES AT 1.8 V SUPPLY AT 16 MHZ ALSO OPERATES AT 1.8 V SUPPLY AT 16 MHZ
位大小 8 8 8
最大时钟频率 32 MHz 32 MHz 32 MHz
DAC 通道 YES YES YES
DMA 通道 NO NO NO
集成缓存 NO NO NO
JESD-30 代码 S-PQCC-N40 R-PDSO-G28 S-XQCC-N40
长度 5 mm 10.2 mm 8 mm
I/O 线路数量 36 25 36
端子数量 40 28 44
计时器数量 7 7 7
片上数据RAM宽度 8 8 8
片上程序ROM宽度 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
PWM 通道 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN SSOP QCCN
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH CHIP CARRIER
RAM(字节) 1024 1024 1024
RAM(字数) 1024 1024 1024
ROM(单词) 8192 8192 8192
ROM可编程性 FLASH FLASH FLASH
筛选级别 ISO/TS-16949 ISO/TS-16949 ISO/TS-16949
速度 32 MHz 32 MHz 32 MHz
最大供电电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD GULL WING NO LEAD
端子节距 0.4 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD DUAL QUAD
宽度 5 mm 5.3 mm 8 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC
座面最大高度 0.55 mm 2 mm -

 
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