电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MXLPLAD30KP33CAE3/TR

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小336KB,共4页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

MXLPLAD30KP33CAE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

MXLPLAD30KP33CAE3/TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明R-PSSO-G1
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压40.6 V
最小击穿电压36.7 V
击穿电压标称值38.65 V
外壳连接CATHODE
最大钳位电压53.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Website: http://www.microsemi.com
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
SURFACE MOUNT 30,000 W
Transient Voltage Suppressor
- High Reliability controlled devices
- Unidirectional (A) and Bidirectional (CA) construction
- Selections for 14 to 400 V standoff voltages (V
WM
)
- Fast response
LEVELS
M, MA, MX, MXL
DEVICES
MPLAD30KP14A thru MPLAD30KP400CA, e3
FEATURES
High reliability controlled devices with fabrication and assembly lot traceability
100 % surge tested devices
Low profile surface mount
Optional upscreening available by replacing the M prefix with MA, MX or MXL. These prefixes
specify various screening and conformance inspection options based on MIL-PRF-19500.
Refer to
MicroNote 129
for more details on the screening options.
Suppresses transients up to 30 kW @ 10/1000 µs and 200 kW @ 8/20 µs (see Figure 1)
Moisture classification is Level 1 with no dry pack required per IPC/JEDEC J-STD-020B
RoHS compliant devices available by adding an “e3” suffix
3σ lot norm screening performed on Standby Current I
D
APPLICATIONS / BENEFITS
Protection from switching transients and induced RF
Protection from ESD, and EFT per IEC 61000-4-2 and IEC 61000-4-4
Secondary lightning protection per IEC 61000-4-5 with 42 Ohms source impedance:
o
Class 1,2,3,4,5: MPLAD30KP14A to 400CA
o
Class 5: MPLAD30KP14A to 400CA (short distance)
o
Class 5: MPLAD30KP14A to 220CA (long distance)
Secondary lightning protection per IEC 61000-4-5 with 12 Ohms source impedance:
o
Class 1,2,3: MPLAD30KP14A to 400CA
o
Class 4: MPLAD30KP14A to 220CA
Secondary lightning protection per IEC 61000-4-5 with 2 Ohms source impedance:
o
Class 2: MPLAD30KP10A to 400CA
o
Class 3: MPLAD30KP14A to 220CA
o
Class 4: MPLAD30KP14A to 110CA
MAXIMUM RATINGS
Peak Pulse Power dissipation at 25 °C: 30,000 watts at 10/1000 μs (also see Figures 1 and 2)
with impulse repetition rate (duty factor) of 0.05 % or less
t
clamping
(0 volts to V
BR
min.): < 100 ps theoretical for unidirectional and < 5 ns for bidirectional
Operating and Storage temperature: -65 ºC to +150 ºC
Thermal resistance: 0.5 ºC/W junction to case or 50ºC/W junction to ambient when mounted
on FR4 PC board with recommended mounting pad (see page 2)
Steady-State Power dissipation: 250 watts at T
C
= 25 °C or 2.5 watts at T
A
= 25 °C when
mounted on FR4 PC board as described for thermal resistance
Forward Surge Voltage: 1500 Amps (theoretical) at 8.3mS half-sine wave (unidirectional
devices only)
Solder temperatures: 260 ºC for 10 s (maximum)
RF01005 Rev D, November 2010
High Reliability Product Group
Page 1 of 4
为什么NAND flash以page为单位读写,SD card以block为单位读写?
NAND flash以page为单位读写,以block为单位erase, SD card的存储介质用的是NAND flash,为什么却已block为单位读写呢?《SD SPEC》甚至都没有page这个概念。 《SD SPEC》还提到set block l ......
999626 嵌入式系统
求助:测量大的时变高频电流的方法
请教有没有能够测量高频随时间变化的大电流(上千安)的传感器或者别的方法么?我不一定要得到具体数值,因为是高频变化,所以能看见变化趋势就可以了。谢谢各位!...
yangguangcici 测试/测量
See Beaglebone Run系列之——See Beaglebone Run Linux
See Beaglebone Run 系列——See Beaglebone Run Linux 1、 Boot(启动阶段) 22、 Uname -a (系统版本信息) 33、 cat /proc/cpuinfo(CPU信息) 34、 cat /proc/mem ......
mars4zhu DSP 与 ARM 处理器
关于蓝牙WSALookupServiceNext()错误10050的问题
各位大侠我最近初学蓝牙,准备在WIN CE 5.0 平台下用SOCKET进行蓝牙的开发。 但是在查找设备的时候总是出错。是在WSALookupServiceNext()这一步的时候出现了错误,错误代码为10050 好像 ......
ouyangzan 嵌入式系统
单片机读写U盘升级版pb375a开发资料
http://www.daxia.com/bibis/upload/2009_7_15_9_39_01.jpg 资料下载:http://www.lanwind.com/files/PB375A_DATASHEET.pdf 21408...
lanxunlanya 单片机
Evc,如何判断,比如*键#键同时按下?
如题所示,GetKeyState(),来判断,貌似只能判断单个键是否按下,如果是两个或是三个的话,就没有反应了. 谢谢....
kacanmmx 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2797  1718  173  897  1364  57  35  4  19  28 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved