MXLPLAD30KP24AE3/TR,MXLPLAD30KP24AE3/TR pdf中文资料,MXLPLAD30KP24AE3/TR引脚图,MXLPLAD30KP24AE3/TR电路-Datasheet-电子工程世界

MXLPLAD30KP24AE3/TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小336KB，共4页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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MXLPLAD30KP24AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
包装说明	R-PSSO-G1
Reach Compliance Code	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	29.5 V
最小击穿电压	26.7 V
击穿电压标称值	28.1 V
外壳连接	CATHODE
最大钳位电压	39.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PSSO-G1
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	30000 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	2.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	24 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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