Pin Diode, 100V V(BR), Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 其他特性 | LOW DISTORTION |
| 应用 | ATTENUATOR |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 标称二极管电容 | 0.32 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 最大二极管正向电阻 | 4 Ω |
| 二极管电阻测试电流 | 100 mA |
| 二极管电阻测试频率 | 100 MHz |
| 二极管类型 | PIN DIODE |
| 频带 | VERY HIGH FREQUENCY TO L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 少数载流子标称寿命 | 1.5 µs |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 反向测试电压 | 50 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
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