Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> S-LN4812LT3G

S-LN4812LT3G: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小287KB，共4页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn

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S-LN4812LT3G概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN

S-LN4812LT3G规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	LRC
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	ULTRA LOW RESISTANCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	6 A
最大漏源导通电阻	0.038 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

= 30V

DS(ON)

, V

@10V, I

@6 A =

38mΩ

DS(ON)

, V

@4.5V, I

@5A =

52mΩ

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

High Power and Current Handling Capability

S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

Qualified and PPAP Capable.

LN4812LT1G

S-LN4812LT1G

SOT– 23 (TO–236AB)

▼

Simple Drive Requirement

▼

Small Package Outline

▼

Surface Mount Device

Ordering Information

N - Channel

Device

LN4812LT1G

S-LN4812LT1G

LN4812LT3G

S-LN4812LT3G

Marking

N48

Shipping

3000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

= 25

C unless otherwise noted)

Symbol

, T

stg

θJC

θJA

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Limit

Unit

± 20

TA = 25

TA = 75 C

1.4

0.8

-55 to 150

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

Junction-to-Case Thermal Resistance

Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

C/W

Note:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by the maximum junction temperature

2oz Cu PCB board

2. 1-in

3. Guaranteed by design; not subject to production testing

Rev .O 1/4

S-LN4812LT3G相似产品对比

	S-LN4812LT3G	S-LN4812LT1G
描述	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236AB, 3 PIN
厂商名称	LRC	LRC
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
其他特性	ULTRA LOW RESISTANCE	ULTRA LOW RESISTANCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	6 A	6 A
最大漏源导通电阻	0.038 Ω	0.038 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A	30 A
参考标准	AEC-Q101	AEC-Q101
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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