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MWI200-06A8

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-19
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共2页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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MWI200-06A8概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SIXPACK-19

MWI200-06A8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
Reach Compliance Codecompli
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)225 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X19
JESD-609代码e3
元件数量6
端子数量19
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)675 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)340 ns
标称接通时间 (ton)230 ns
VCEsat-Max2.5 V
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