1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-Volt Battery-Voltage Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 90 ns |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 42.037 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 1,2,1,1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.826 mm |
部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 15.24 mm |
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