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71108

产品描述N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
文件大小85KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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71108概述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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Si3454ADV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.060 at V
GS
= 10 V
0.085 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
4.5
3.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 100 % R
g
Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top View
1
6
(1, 2, 5, 6) D
3 mm
2
5
3
4
(3) G
2.85 mm
Ordering Information:
Si3454ADV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3454ADV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
Marking Code:
A4xxx
(4) S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
4.5
3.6
20
1.0
1.14
0.73
W
°C
5s
30
± 20
3.4
2.7
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
50
90
30
Maximum
62.5
110
36
°C/W
Unit
Document Number: 71108
S09-0765-Rev. D, 04-May-09
www.vishay.com
1

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