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AT49HBV010-70TI

产品描述1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小62KB,共11页
制造商Atmel (Microchip)
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AT49HBV010-70TI概述

1-Megabit 128K x 8 Single 2.7-volt Battery-Voltage Flash Memory

AT49HBV010-70TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP1
包装说明20 X 8 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,120K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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