16-Megabit 1M x 16/2M x 8 5-volt Only Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | MICRO, BGA-48 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | CONFIGURABLE AS 1M X 16; SECTOR ERASE |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 8.5 mm |
| 内存密度 | 16777216 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,2,30 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 部门规模 | 4K,16K,32K |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 6.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
