IS61QDPB41M18A1-550M3I,IS61QDPB41M18A1-550M3I pdf中文资料,IS61QDPB41M18A1-550M3I引脚图,IS61QDPB41M18A1-550M3I电路-Datasheet-电子工程世界

IS61QDPB41M18A1-550M3I: 产品描述QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40MM HEIGHT, LFBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小553KB，共38页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61QDPB41M18A1-550M3I概述

QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40MM HEIGHT, LFBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compli
最长访问时间	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	550 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	17 mm
内存密度	18874368 bi
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.38 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	1.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.89 V
最小供电电压 (Vsup)	1.71 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	15 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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