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IS43DR16160B-25DBL: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小882KB，共46页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS43DR16160B-25DBL概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84

IS43DR16160B-25DBL规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	6 weeks
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1
长度	12.5 mm
内存密度	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.025 A
最大压摆率	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	8 mm

IS43DR16160B-25DBL相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84	DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, TWBGA-84
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA,
Reach Compliance Code	compli	compliant	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns	0.5 ns	0.5 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1	e1	e1	e0	e1	e1	e1
长度	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm	12.5 mm
内存密度	268435456 bi	268435456 bit	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	84	84	84	84	84	84	84
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	NOT SPECIFIED	260	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	NOT SPECIFIED	10	10	10
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
Factory Lead Time	6 weeks	6 weeks	6 weeks	-	6 weeks	6 weeks	6 weeks
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz	266 MHz	266 MHz	333 MHz	333 MHz	333 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	-
湿度敏感等级	3	3	3	-	3	3	3
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	BGA84,9X15,32	-
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	-
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	-
最大待机电流	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	-
最大压摆率	0.33 mA	0.26 mA	0.26 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.28 mA	-

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