AT49BV160CT-70CI,AT49BV160CT-70CI pdf中文资料,AT49BV160CT-70CI引脚图,AT49BV160CT-70CI电路-Datasheet-电子工程世界

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AT49BV160CT-70CI: 产品描述16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小221KB，共30页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT49BV160CT-70CI概述

16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory

AT49BV160CT-70CI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	BGA
包装说明	6.50 X 7.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-46
针数	46
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
启动块	TOP
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B46
JESD-609代码	e0
长度	7.5 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
部门数/规模	8,31
端子数量	46
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA46,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
部门规模	4K,32K
最大待机电流	0.000025 A
最大压摆率	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.65 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	6.5 mm

AT49BV160CT-70CI相似产品对比

	AT49BV160CT-70CI	AT49BV160C	AT49BV160C-70CI	AT49BV160CT-70TI	AT49BV160C-70TI
描述	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory	16-megabit (1M x 16) 3-volt Only Flash Memory
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)	-	Atmel (Microchip)
零件包装代码	BGA	-	BGA	TSOP1	TSOP1
包装说明	6.50 X 7.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-46	-	6.50 X 7.50 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-46	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	46	-	46	48	48
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	70 ns	-	70 ns	70 ns	70 ns
启动块	TOP	-	BOTTOM	TOP	BOTTOM
命令用户界面	YES	-	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	-	YES	YES	YES
数据轮询	NO	-	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B46	-	R-PBGA-B46	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0
长度	7.5 mm	-	7.5 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	16777216 bi	-	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	FLASH	-	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	-	16	16	16
湿度敏感等级	3	-	3	3	3
功能数量	1	-	1	1	1
部门数/规模	8,31	-	8,31	8,31	8,31
端子数量	46	-	46	48	48
字数	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	-	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	-	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	-	VFBGA	TSOP1	TSOP1
封装等效代码	BGA46,6X8,30	-	BGA46,6X8,30	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	-	240	240	240
电源	3/3.3 V	-	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	3 V	-	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	-	1 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	4K,32K	-	4K,32K	4K,32K	4K,32K
最大待机电流	0.000025 A	-	0.000025 A	0.000025 A	0.000025 A
最大压摆率	0.065 mA	-	0.065 mA	0.065 mA	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.65 V	-	2.65 V	2.65 V	2.65 V
标称供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	-	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.75 mm	-	0.75 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	30	30
切换位	NO	-	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	6.5 mm	-	6.5 mm	12 mm	12 mm

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